Loại pin quang điện mới này gồm 3 lớp để mỗi lớp có thể hấp thu những bước sóng ánh sáng mặt trời khác nhau. Điều này cho phép tăng quang phổ ánh sáng được hấp thu bởi pin quang điện và có thể đạt được hiệu suất cao hơn loại pin quang điện chỉ có 1 lớp. Loại pin 3 lớp này được tạo thành từ một trong các chất là phosphure gallium indium (InGaP) ở lớp trên cùng, arseniure gallium-indium (InGaAs) lớp giữa và germanium (Ge) lớp dưới cùng.
Các nhà nghiên cứu cho biết các lớp bằng Ge chế tạo khá dễ dàng, nhưng một nửa dòng điện trong lớp này không thể tận dụng. Các nhà nghiên cứu của Công ty Sharp đã thay thế loại vật liệu này bằng InGaAs để đạt được hiệu suất chuyển đổi 35,8% so với 31,5% trước đây. Với hiệu suất kỷ lục này kết hợp với máy khuyếch đại trung tâm, khiến hiệu suất chuyển đổi tổng thể có thể đạt 45%. Công ty Sharp dự kiến đưa loại pin này vào sử dụng trên các vệ tinh vào năm 2012.
NASATI (P.A.T - theo Techno-Science.net)
